标准包装 50   

类别分立半导体产品   

家庭FET - 单   

系列HEXFET®   

包装 管件    

FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物   

FET 功能标准   

漏源极电压 (Vdss)100V   

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）80A（Tc）   

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）15 毫欧 @ 45A，10V   

不同 Id 时的 Vgs(th)（值）4V @ 250μA   

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)120nC @ 10V   

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3830pF @ 25V   

功率 - 值260W   

安装类型表面贴装   

封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB   

供应商器件封装D2PAK   

联系电话：0755-82515021夏先生